一种抗辐射加固16位数模转换器的设计技术

摘要

研究高精度大规模高低压兼容数字模拟转换器中(DAC:Digital to analog converter)抗辐射加固的设计技术.在一款大规模、数模混合、集成高密度数字电路、兼容高低压工作的DAC中,重点对总剂量辐射产生的阈值电压漂移、漏源漏电、场区漏电三种效应,以及单粒子闭锁效应展开研究.通过在线路和版图设计时,采取针对性的抗辐射加固设计措施,使得在不降低DAC电性能的情况下,有效拟制阈值电压漂移、漏源漏电、场区漏电、单粒子闭锁等有害效应的产生.通过电参数实测及辐射试验验证,该DAC不仅具有低功耗、高精度的电性能,稳态总剂量能够达到1×105rad(Si),单粒子锁定LET阈值能够达到75MeV.cm2/mg.