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赵振宇; 郑国明; 王丽萍; 陈安安;
中国计算机学会;
CMOS工艺; 电平转换电路; 偏斜控制电路;
机译:深度亚微米CMOS工艺具有电感源退化的公共源低噪声放大器的设计
机译:采用0.18微米CMOS工艺的类似于1.5 GHz宽带功率放大器的0.7设计
机译:深亚微米CMOS工艺中的低噪声放大器设计:一种凸优化方法
机译:亚微米微米CMOS工艺中采用新型衬底触发SCR器件的片上esd保护电路设计
机译:采用0.18微米硅锗化物BiCMOS工艺实现的高速折叠和插值模数转换器的设计
机译:使用片上压力发生单元在微米和亚微米深通道中进行高效水力色谱分析
机译:亚四分之一微米CmOs工艺中基板触发技术的混合电压I / O电路的EsD保护设计
机译:结合和匹配光学,电子束和X射线光刻在制造具有0.1和低于0.1微米特征的si互补金属氧化物半导体电路中
机译:深源0.1微米以下微型存储单元的源侧硼植入物的微弱通道掺杂
机译:通过TAROPACUAL制备的纤维材料的制备方法[制备纤维材料的方法包括制备基于木质纤维素纤维的纤维团,将颜料引入到纤维团中,然后形成纤维材料网并干燥。作为颜料,使用选自以下系列的物质:粒度为0.1-20微米,数量为0.1-0.5wt。%的琥珀色,cher石,皂石,硅藻土。绝对干燥纤维的重量%
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