掺锗高效多晶硅的性能研究

摘要

主要研究了掺锗对铸造高效多晶硅的性能影响,重点对比了掺锗与非掺锗高效多晶硅中的缺陷水平、杂质浓度及硅片的机械强度.研究表明:掺锗能够有效地降低高效多晶硅中的位错密度和金属杂质浓度,使得硅锭的平均少数载流子寿命提高约1μs;同时,掺锗高效多晶硅片具有更高的机械强度,有利于电池片的制作.采用标准电池生产线对实验硅片进行电池制作,结果显示掺锗有利于高效多晶硅电池性能的提升.