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高密度NAND Flash存储器与发展趋势探讨

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介绍三星电子研发的高密度系列NAND Flash存储器的内部结构设计和引脚配置,读数据、页面编程和存储块擦除等存取原理和操作时序,分析和探讨了NAND Flash芯片的发展趋势.

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来源
《第七届(2008年)海峡两岸科技与经济论坛》|2008年|114-118|共5页
会议地点福州
作者

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作者单位

福建省科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类存贮器;
关键词
NAND Flash存储器; 存取原理; 操作时序;

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