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基于SOI工艺BTS结构的SRAM抗辐照设计与实现

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为了满足航天、军事方面对抗辐照的特殊要求,本文使用SOI工艺、BTS结构设计了一款8kbSRAM.本存储器设计主要有三个部分:存储单元、读写控制电路和译码电路.基于一种静态工作的电路,通过对三部分的设计和改进,设计出了一款用于航天、军事方面具有抗辐照性能的单端口存储器.

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来源
《第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)》|2008年|48-50|共3页
会议地点呼和浩特
作者

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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类存贮器;
关键词
8kbSRAM; 存储器; 抗辐照设计; SOI工艺; BTS结构;

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