激光剥离N极性面GaN的表面粗糙化研究

摘要

结合制备功率型GaN基发光二极管(LED)的具体要求,为提高GaN基LED的出光效率提供切实可行的技术方案,通过激光剥离技术(LLO)获得了具有N极性面的GaN材料,利用KOH溶液和反应离子刻蚀的方法在N极性的GaN上获得了粗糙化的表面,构成粗糙化表面的晶粒密度和体积决定了GaN表面的粗糙化程度,晶粒的形貌与N极性面的晶体质量和晶面取向有关,研究了租糙化表面形貌与刻蚀条件的关系,分析了其形成机理和决定因素,指出粗糙化表面上的晶粒起源于GaN材料中的缺陷,粗糙化程度和表面形貌与刻蚀的条件密切相关。