基于Ratchet效应的平面纳米二极管

摘要

本文采用二维系宗蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性。这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构。我们还可以获得开启电压为零的器件。由于该器件为纳米量级,因此具有很快的响应速度。模拟结果表明在亚太赫兹波段,该器件有不为零的整流信号输出。