a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

摘要

对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝IB0.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制；改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收,自由载流子和应力的综合作用引起的。