一种厚耗尽层Si探测器的研制

摘要

本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果.这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm).测量结果显示，对207Bi内转换电子源975．6KeV峰的能量分辨为大约30KEV．另外，这种探测器反向漏电流小(150偏压下其反向漏电流典型值小于20nA)，可经受高温(60℃)的考验.