电化学沉积CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2预制层

摘要

采用电沉积法制备了CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预制层,通过循环伏安法探讨了电沉积的电化学行为,并研究了沉积电位对预制层性能的影响。研究表明:电沉积时,Cu最先还原,然后诱导Se的沉积,In和Ga则是以欠电位沉积的方式进入膜层。在出现极限还原电流的电位范围内电沉积获得了化学计量组成稳定可控且致密平整的CuInSe2预制层。电沉积的CIGS预制层均富铜且偏离理想化学计量组成较大；改良镀液后电沉积获得了化学计量组成为CuIn0.67Ga0.30Se2.11的预制层。