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GaN组合开关电路及其驱动技术研究

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GaN HEMT具有电子迁移率高、耐高温高压和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点.针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路及快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,实例及实验结果验证了所提出电路的可行性.

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来源
《第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会》|2015年|1-5|共5页
会议地点北京
作者
祁俐俐; 刘树林; 权颖; 曹晓生;
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作者单位

中国高校电力电子与电力传动学术年会组委会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类刀形开关和转换开关;
关键词
组合开关; 驱动电路; 负电压; 关断特性;
入库时间 2022-08-17 10:20:01

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