电沉积WO3薄膜及其光电性能的表征

摘要

本文采用电化学法制备了均匀、附着力强的WO3薄膜。研究了不同沉积电位和不同的沉积时间对薄膜的光电性能影响，并使用了XRD，UV-vis，M-S，光电流光谱（IPCE）等分析表征手段对薄膜进行了表征。实验结果表明，所制得的WO3薄膜为单斜晶系，退火后沿(200)晶面择优生长；对比所有沉积电位，-0.45V沉积电位（vs.SCE）所获得的WO3 薄膜均匀致密，薄膜的带边在460nm（.2.7 eV），其光电转换性能最好；在实验范围内薄膜越厚，其光电转换性能越好。