Ga:ZnO LED透明电极的Ⅰ-Ⅴ特性和界面性质的研究

摘要

利用自制的MVPE设备在GaN基LED上生长了8μm厚Ga:ZnO(GZO)外延薄膜代替ITO作为LED的透明电极. EL 测试表明GZO作电极时LED的发光强度高于ITO作电极的情况。研究了样品的Ⅰ-Ⅴ特性。并通过XPS测试研究7GZO/p-GaN异质结的界面特性。