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王贺龙; 蒲明华; 张红; 雷鸣; 王伟; 赵勇;
中国电工技术学会;
中国电机工程学会;
涂层导体; NiO缓冲层; SmBiO3缓冲层; 表面自氧化外延; 外延生长;
机译:用于YBaCuO涂层导体的带纹理的NiW带上的反应溅射LaZrO缓冲层的卷到卷沉积
机译:YBaCuO涂层导体在带纹理的NiW胶带上的反应溅射LaZrO缓冲层的卷到卷沉积
机译:缓冲层表面形态对沉积在NiW胶带上的YBCO临界电流密度的影响
机译:沉积在NiW磁带上的缓冲层的晶体取向和面内纹理改进
机译:过渡金属氮化物基超晶格和缓冲层的外延生长和稳定化。
机译:通过自组装的PtSe2缓冲层在SiO2 / Si上可扩展外延生长WSe2薄膜
机译:石墨和石墨烯上的SrO缓冲层的分子束外延生长用于整合复合氧化物
机译:用于YBCO涂层导体的双轴织构金属基板上的溶液基缓冲层的外延生长
机译:III族氮化物外延层与III族氮化物缓冲层的单级外延外延生长和单级横向外延生长
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:包含NiOx-CNT纳米复合材料的空穴转移层的组合物,以及包含该NiOx-CNT纳米复合材料的太阳能电池
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