射频微机电分布式移相器设计优化研究

摘要

本文针对射频微机电（RF MEMS）分布式移相器的移相精度和反射损耗提出有效的优化方案，以X波段五位（5-bit）分布式移相器的单元电路（0°/11.25°移相单元）设计为例，优化得到高精度、低反射损耗的移相器。为了提高分布式移相器移相精度，在MEMS 梁两端各串联一个MAM 电容，通过电容值的精确设计得到高移相精度，得到的移相器在较大的工艺误差下，移相偏移小于1°。采用在共面波导地线处开槽的方法，有效减小了反射损耗。在所设计的中心频率10GHz下，分布式移相器两种状态下反射损耗均小于-20dB。这两种优化方案可以广泛使用在RFMEMS分布式移相器的设计之中。