用于钨化学机械抛光的侵蚀的模型

摘要

提出了一个用于钨CMP时侵蚀的模型，用以解释通常意义所不能解释的侵蚀现象。基于理论分析，该模型与试验数据能很好地吻合。赝侵蚀是该模型的重要概念。该模型可用于指导CMP工艺中的关于凹陷和侵蚀的分析，由此减少工艺监控中的一些环节，降低成本。