基于STI的Si材料应力引入技术研究

摘要

针对应变硅材料制备复杂的现象，研究了一种基于常规Si工艺的浅槽隔离(STI)技术引入应力，并进行了扫描电子显微镜(SEM)，高分辨X射线双品衍射(HXRD)测试。测试结果表明：该实验确实在材料中引入了与分析相同的应力，即压应力，并且证明压应力与STI槽间距成反比。