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5.3 MeV Kr离子辐照的InGaN/GaN异质结X射线衍射的研究

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使用高分辨X射线衍射(HRXRD)的测量,研究了室温下5.3MeVKr离子辐照的InGaN/GaN 异质结。Kr离子的辐照剂量范围为1011～1013cm-2。实验结果表明当辐照剂量达到1×1013cm-2时,InGan和GaN层的结构均发生了明显的变化。GaN层被分成了晶格膨胀程度不同的几个损伤层,而InGaN层则发生了均匀的晶格膨胀。GaN薄膜的层状结构以及GaN和InGaN辐照效应的差异被讨论.

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来源
《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2010年|148-150|共3页
会议地点西安
作者
张利民; 张崇宏; 张丽卿; 贾秀军; 韩录会; 徐超亮; 张勇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;特种结构材料;
关键词
InGaN/GaN异质结; 离子辐照; X射线衍射;

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