硫掺杂氮化硼薄膜的电学性质

摘要

RF射频溅射法制备BN薄膜，使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions／cm2-1016ions／cm2之间，薄膜在离子注入后经400℃-800℃退火，并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极，以测量其电学特性。实验结果表明：离子注入掺杂后的BN薄膜表面电阻率随着S离子注入剂量的增大逐渐降低，薄膜表面电阻率比掺杂前下降了2—3个数量级。经计算得到掺杂后BN薄膜激活能为0.1 8eV。