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碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征

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采用简单的碳热还原法,以碳粉和SiO2 微粉分别作为硅源和碳源,在1550 ° C 高温真空气氛箱式炉中制备了SiC 纳米线.反应产物经傅里叶红外(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等测试手段进行形貌和结构表征.研究结果表明:制备的产物为直线六棱柱形状的3C-SiC 纳米线,直径在50~300nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错;纳米线主要以VS 机制生长.

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来源
《2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会》|2010年|1-4|共4页
会议地点西安
作者
朱小燕; 王顺利; 邹以慧; 刘仁娟; 陈建军; 唐为华;
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作者单位

中国微米纳米技术学会;

纳米科技编辑部;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类硅及其无机化合物;特种结构材料;
关键词
碳化硅; 纳米线; 碳热还原法; 气-固机制; 结构表征;

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