ZrB2-SiC晶片复合陶瓷的SPS烧结行为及微观结构

摘要

论文利用等离子体放电烧结法（SPS）制备了ZrB2-15vol%SiC晶片（SiCpl）复合陶瓷。烧结温度1600℃，保温时间5分钟，加热速率100/min℃。研究了SiCpl/ZrB2复合陶瓷的烧结致密化行为以及微观结构与力学性能。结果表明SPS可以有效降低ZrB2的烧结温度，试样晶粒尺寸变小且均匀，说明SPS快速烧结有效抑制了ZrB2晶粒的异常长大。文章还研究了晶片的定向性对复合材料性能的影响。结果表明SiC晶片的定向排布提高了材料的可烧结性与力学性能。