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吴坚;
中国微米纳米技术学会;
制冷材料; 磁卡效应; 溶胶-凝胶法; 晶体结构; 磁熵变;
机译:非晶和晶体系统中磁熵变的理论研究:在RAg(R = Tb,Dy,Ho)和GdCuAl中的应用
机译:一价掺杂La 0.7 sub> Ba 0.2 sub> M 0.1 sub> MnO 3 sub>的磁熵变(M = Na,Ag, K)锰矿
机译:一价掺杂La_0.7Ba_0.2M_0.1MnO_3(M = Na,Ag,K)锰矿中的磁熵变
机译:基于多晶Cr 2 + sup>:Znse板块的高效率高重复率增益转换激光器在2.4-2.7μm的基于多晶Cr 2 + sup>:Znse板块通过HO 3 + SUP泵送为2.1μm的未掺杂的端杯>:YAG激光器
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:柔性太阳能电池:Na掺杂对多晶柔性Cu中载流路径的影响
机译:错误:“LA1-XAGXMNO3多晶非均匀粒度系统的”LA1-XAGXMO3的巨磁阻“APPL。物理。吧。 77,723(2000)
机译:未掺杂和铈掺杂的LiGdCl(sub 4)和NaGdCl(sub 4)的闪烁和发光特性
机译:用于RF SOI陷阱的多晶硅和氧掺杂多晶硅设计的多层多晶硅和氧掺杂多晶硅设计
机译:多晶电阻器的制造方法涉及掺杂多晶电阻路径,使得电阻路径的一部分被掺杂而电阻路径的另一部分未被掺杂。
机译:自对准N + / P +掺杂的多晶硅插入触点到N + / P +掺杂的多晶硅栅极和N + / P +掺杂的源极/漏极区域
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