纳米柱状二氧化硅减反射薄膜的研究

摘要

采用电子束蒸发倾斜角沉积镀膜方法在硅片和石英片基底上制备单层纳米柱状二氧化硅减反射薄膜。通过改变工艺参数,获得了纳米柱状薄膜,降低了表面反射.基底材料对表面反射影响较大.硅片基底的纳米薄膜在770nm处反射率达到最低,为11.86％;石英基底纳米薄膜在1100nm处反射率最低,为3.23％.