非制冷焦平面红外探测器微桥结构的设计研究

摘要

非制冷红外探测器已取得了令人瞩目的成就，凭借其成本低、无需制冷、可靠性高等优点，在民用和军用市场得到了广泛的应用。非制冷红外探测器的关键技术之一是微桥结构的设计。良好的微桥结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。在硅基底上采用半导体光刻技术和牺牲层技术制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构，该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容，并通过优化工艺参数，提高了微桥结构的机械强度，减小热导，解决了制备微桥结构的关键技术，制备了像元中心距为509m、填充因子为40％～60％、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵，该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。