新型碳化硅电力电子器件的测试与对比研究

摘要

对新型材料器件——碳化硅MOSFET、碳化硅JFET、碳化硅BJT进行了静态和动态的测试，并和相同电压电流等级的硅材料器件(Si IGBT、Si MOSFET、CooIMos)做了对比分析、同时也在碳化硅器件之间做了一些对比研究。着重介绍了碳化硅器件优良的静态特性、温度特性以及开关特性。