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一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法

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摘要

本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长一层AlN缓冲层，然后继续利用MOCVD技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳CCl₄。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。

公开/公告号CN101397693B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-28

原文格式PDF
申请/专利权人厦门乾照光电股份有限公司;
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申请/专利号CN200810072030.8
发明设计人张双翔;蔡建九;张银桥;王向武;
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申请日2008-10-28
分类号C30B25/02(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/38(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构35203 厦门市新华专利商标代理有限公司;
代理人李宁
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区创业大厦108A
入库时间 2022-08-23 09:08:08

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-10

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 25/02 变更前: 变更后: 申请日:20081028

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-09-28

授权

授权
2011-09-28

授权

授权
2009-05-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-05-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-04-01

公开

公开
2009-04-01

公开

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1. 一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101397693B . 2011.09.28
2. 一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101388337A . 2009-03-18
3. GROWTH METHOD OF A NITRIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM USING A NITRIDE SINGLE CRYSTAL GROWTH SUBSTRATE OF A LARGE DIAMETER AND A MANUFACTURING METHOD OF A NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTIG DEVICE USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20100061062A . 2010-06-07

机译：使用大直径的氮化物单晶生长基质的氮化物单晶薄膜的生长方法以及使用该氮化物的光半导体器件的制造方法
4. Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride and their alloys by metal organic chemical vapor deposition [P] . 美国专利： US8455885B2 . 2013-06-04

机译：通过金属有机化学气相沉积异质外延生长高质量N面氮化镓，氮化铟和氮化铝及其合金的方法
5. METHOD FOR GROWING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR CRYSTAL TO GROW HIGH-QUALITY NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND USE SUCH THIN FILM AS MATERIAL OF LIGHT EMITTING DEVICE REQUIRING HIGH BRIGHTNESS AND HIGH RELIABILITY [P] . 韩国专利： KR20050014345A . 2005-02-07

机译：生长基于氮化物的半导体晶体以生长高质量的氮化物半导体薄膜并将这种薄膜用作需要高亮度和高可靠性的发光器件的方法