大尺寸、高质量磷化铟单晶的生长与特性

摘要

对垂直梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LCE)生长的InP单晶片进行了研究,并作了全面质量比较。用来表征缺陷结构的方法有:1)腐蚀法揭示位错。2)透射X射线形貌术(TXRT)。3)透射阴极荧光(TCL)。经腐蚀处理后,发现VGF衬底从边缘到中心观察不到滑移,EPD低(4×10^(18)/cm^3),在片子的周界处有相当多的滑移和位错。VGF材料的TXRT研究表明,它有大面积的无位错区(≥10cm^2)。相反,LEC材料甚至在低EPD区也有位错团。TXRT和TCL能揭示由于掺杂剂不均匀地进、晶体而产生的生长条纹。在LEC材料中,生长条纹有强烈的凹曲面,这表明生长界面不是平坦的,而且由于掺杂剂进入晶体有很大的波动,因此生长条纹有明显的对比度。发现VGF生长条纹是平坦的且其对比度很弱。