一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法

摘要

本发明公开一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法，在硅衬底上利用MOCVD技术先生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上继续生长AlInN缓冲层，最后生长InN单晶外延。AlInN缓冲层可以是单一组分的一层AlInN缓冲层，或是渐变组分的一层AlInN缓冲层，In组分由少到多呈线形变化，或是不同组分的多层AlInN缓冲层，各层In组分由少到多呈线形变化。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。