首页> 外国专利> MULTI-LAYER SILICON NITRIDE WAVEGUIDE BASED INTEGRATED PHOTONICS OPTICAL GYROSCOPE CHIP WITH ELECTRO-OPTIC PHASE SHIFTER

MULTI-LAYER SILICON NITRIDE WAVEGUIDE BASED INTEGRATED PHOTONICS OPTICAL GYROSCOPE CHIP WITH ELECTRO-OPTIC PHASE SHIFTER

机译:基于多层氮化硅波导,具有电光移相器的集成光子光学陀螺仪

摘要

An integrated photonics optical gyroscope fabricated on a silicon nitride (SiN) waveguide platform comprises a first silicon nitride (SiN) waveguide layer that constitute a rotation sensing element; and, a second SiN waveguide layer with additional silicon nitride (SiN) waveguide-based optical components that constitute a front-end chip to launch light into and receive light from the rotation sensing element. The two SiN waveguide layers can be stacked together to have a multi-layer configuration vertically coupled with each other. External elements (e.g., laser, detectors, phase shifter) may be made of different material platform than SiN and can be hybridly integrated to the SiN waveguide platform. The phase shifters can be made of lithium niobate or other electro optic material.
机译:在氮化硅(SIN)波导平台上制造的集成光子学光学陀螺仪包括构成旋转传感元件的第一氮化硅(SiN)波导层; 并且,具有附加氮化硅(SIN)波导的光学组件的第二SIN波导层,其构成前端芯片以发射光进入并从旋转感测元件接收光。 两个SIN波导层可以堆叠在一起以具有彼此垂直耦合的多层配置。 外部元件(例如,激光,探测器,移相器)可以由不同的材料平台制成而不是SIN,并且可以与SIN波导平台杂交集成。 相移器可以由铌酸锂或其他电光材料制成。

著录项

  • 公开/公告号US2022011111A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ANELLO PHOTONICS INC.;

    申请/专利号US202117486752

  • 发明设计人 MARIO PANICCIA;

    申请日2021-09-27

  • 分类号G01C19/66;G02B6/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:20:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号