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TARGET AND ALGORITHM TO MEASURE OVERLAY BY MODELING BACK SCATTERING ELECTRONS ON OVERLAPPING STRUCTURES

机译:通过在重叠结构上建模散射电子来测量叠加的目标和算法

摘要

An overlay target includes a grating-over-grating structure with a bottom grating structure disposed on a specimen and a top grating structure disposed on the bottom grating structure. The overlay target further includes a calibration scan location including the bottom grating structure but not the top grating structure and an overlay scan location including the top grating structure and the bottom grating structure.
机译:覆盖靶包括光栅过光栅结构,其具有设置在样品上的底部光栅结构和设置在底部光栅结构上的顶部光栅结构。 覆盖目标还包括包括底部光栅结构的校准扫描位置,而不是顶部光栅结构和包括顶部光栅结构和底部光栅结构的覆盖扫描位置。

著录项

  • 公开/公告号WO2022006189A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KLA CORPORATION;

    申请/专利号WO2021US39735

  • 发明设计人 GUTMAN NADAV;ACHE OLIVER;PHELPS CAREY;

    申请日2021-06-30

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:16:23

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