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Dynamic partial power down of memory-side cache in a 2-level memory hierarchy

机译:动态部分断电在2级内存层次结构中的存储器端缓存

摘要

A system and method are described for flushing a specified region of a memory side cache (MSC) within a multi-level memory hierarchy. For example, a computer system according to one embodiment comprises: a memory subsystem comprised of a non-volatile system memory and a volatile memory side cache (MSC) for caching portions of the non-volatile system memory; and a flush engine for flushing a specified region of the MSC to the non-volatile system memory in response to a deactivation condition associated with the specified region of the MSC.
机译:描述用于在多级存储层中刷新存储器侧高速缓存(MSC)的指定区域的系统和方法。 例如,根据一个实施例的计算机系统包括:包括用于非易失性系统存储器和易失性存储器侧高速缓存(MSC)的存储器子系统,用于缓存非易失性系统存储器的部分; 并且,用于响应于与MSC的指定区域相关联的停用条件将MSC的指定区域冲洗到非易失性系统存储器的冲洗引擎。

著录项

  • 公开/公告号US11200176B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号US202017009245

  • 申请日2020-09-01

  • 分类号G06F12;G06F12/0891;G06F12/0895;G06F1/3234;G06F1/3225;G06F12/0868;G06F12/0873;G06F12/0804;G06F11/07;G06F1/30;G06F12/0864;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:47:51

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