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2级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存的动态部分断电

摘要

描述用于刷新多级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存(MSC)的所指定区域的系统和方法。例如,按照一个实施例的计算机系统包括:存储器子系统,包括非易失性系统存储器和用于缓存非易失性系统存储器的部分的易失性存储器侧高速缓存(MSC);以及刷新引擎,用于响应与MSC的所指定区域关联的停用条件而将MSC的所指定区域刷新到非易失性系统存储器。

著录项

  • 公开/公告号CN107368433B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201710343834.6

  • 发明设计人 R.K.拉马努詹;G.J.欣顿;D.J.齐默曼;

    申请日2011-12-20

  • 分类号G06F12/0811(20160101);G06F12/0868(20160101);G06F12/0897(20160101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王华强;付曼

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:52

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