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Method for producing vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic EL display

机译:制造气相沉积掩模的方法,生产有机半导体元件的方法,以及生产有机EL显示器的方法

摘要

In a method for producing a vapor deposition mask including a resin mask 20 including resin mask openings 25 corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition, and a metal mask 10 including a metal mask opening 15, the metal mask being stacked on one surface of the resin mask, when the plurality of resin mask openings 25 are formed, as to any one resin mask opening 25a of the plurality of resin mask openings 25, the resin mask opening 25 is formed such that in a thicknesswise cross section of the resin mask, an acute angle (θ1) formed by one inner wall surface forming the one resin mask opening and the other surface of the resin mask is different from an acute angle (θ2) formed by the other inner wall surface forming the one resin mask opening and the other surface of the resin mask.
机译:在一种用于制造包括树脂掩模20的气相沉积掩模的方法中,该树脂掩模20对应于由气相沉积产生的图案,以及包括金属掩模开口15的金属掩模10,金属掩模堆叠在一个表面上 在树脂掩模中,当形成多个树脂掩模开口25时,对于多个树脂掩模开口25的任何一个树脂掩模开口25a,形成树脂掩模开口25,使得在树脂的厚度横截面中 掩模,由形成一个树脂掩模开口的一个内壁表面形成的锐角(θ1)和树脂掩模的另一个表面不同于由形成一个树脂掩模开口的另一个内壁表面形成的锐角(θ2) 和树脂面膜的另一个表面。

著录项

  • 公开/公告号US11196002B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAI NIPPON PRINTING CO. LTD.;

    申请/专利号US201716337058

  • 发明设计人 HIROSHI KAWASAKI;KATSUNARI OBATA;

    申请日2017-10-04

  • 分类号H01L51;H01L51/56;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:38:28

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