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Plasma processing apparatus with improved anti-plasma corrosion

机译:具有改进的防血浆腐蚀的等离子体处理装置

摘要

The present invention relates to a plasma processing apparatus, comprising: a chamber in which plasma processing is performed; a substrate support provided in the chamber on which a wafer is mounted; a ring-shaped structure formed to surround the circumference of the wafer in a circle; a shower head provided in the chamber to supply gas to an upper portion of the wafer; and an upper electrode provided under the shower head, wherein the ring-shaped structure and the upper electrode are formed of boron carbide material and have excellent corrosion resistance and thus have a long lifespan.
机译:等离子体处理装置技术领域本发明涉及等离子体处理装置,包括:腔室,其中进行等离子体处理; 设置在晶片的腔室中的基板支撑件; 环形结构形成为围绕圆圈的圆周; 设置在腔室中的淋浴头以供应到晶片的上部的气体; 设置在淋浴头下方的上电极,其中环形结构和上电极由碳化硼材料形成并且具有优异的耐腐蚀性,因此具有较长的寿命。

著录项

  • 公开/公告号KR20210131692A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 주식회사 티이엠;

    申请/专利号KR20200050098

  • 发明设计人 박진경;

    申请日2020-04-24

  • 分类号H01J37/32;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2024-06-14 22:25:52

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