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Performing in-memory computing based on multiply-accumulate operations using non-volatile memory arrays

机译:基于使用非易失性存储器阵列的乘法累积操作执行内存计算

摘要

A memory device includes: a memory array including a plurality of memory cells and a plurality of bit lines; and a current converting circuit, coupled to the memory array. In executing a calculation operation, the memory cells of the memory array generate a source current corresponding to a calculation operation result. The source current is converted by the current converting circuit into an output value for being an input signal provided to a next calculation operation.
机译:存储器设备包括:存储器阵列,包括多个存储器单元和多个位线; 和电流转换电路,耦合到存储器阵列。 在执行计算操作时,存储器阵列的存储器单元生成与计算操作结果相对应的源电流。 源电流由电流转换电路转换为输出值,用于提供给下一个计算操作的输入信号。

著录项

  • 公开/公告号US11189339B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MACRONIX INTERNATIONAL CO. LTD.;

    申请/专利号US202016886995

  • 发明设计人 YI-CHING LIU;CHI LO;

    申请日2020-05-29

  • 分类号G11C16/10;G11C11/4096;G11C11/4091;G11C11/4094;G05F3/26;G11C11/4074;H03M1/46;G06F9/38;G11C11/408;G11C13;G11C16/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 22:22:13

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