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BOOTSTRAP CLASS-D WIDEBAND RF POWER AMPLIFIER

机译:Bootstrap类D宽带RF功率放大器

摘要

A high-power, high-frequency radio frequency power amplifier includes an output stage and a single-phase driver. The output stage is arranged in a Class-D amplifier configuration and includes a first depletion mode field effect transistor (FET), a second depletion mode FET, and a bootstrap path that couples the output of the output stage to the gate of the second FET. The first and second depletion mode FETs are switched out-of-phase and between fully-ON and fully-OFF states, under the direction of the single-phase driver. The single-phase driver directly controls the ON/OFF state of the first depletion mode FET and provides a discharge path through which the input gate capacitor of the second depletion mode FET in the output stage can discharge to turn OFF the second depletion mode FET. The bootstrap path provides a current path through which the input gate capacitor of the second depletion mode FET can charge to turn the second depletion mode FET ON.
机译:高功率高频射频功率放大器包括输出级和单相驱动器。 输出级以类-D放大器配置布置,并且包括第一耗尽模式场效应晶体管(FET),第二耗尽模式FET和引导路径,其将输出级的输出耦合到第二FET的栅极 。 在单相驱动器的方向下,第一和第二耗尽模式FET在完全接通和完全关闭状态之间切换出外相。 单相驱动器直接控制第一耗尽模式FET的开/关状态,并提供输出级中的第二耗尽模式FET的输入栅极电容器的放电路径可以放电以关闭第二耗尽模式FET。 引导路径提供电流路径,第二耗尽模式FET的输入栅极电容器通过该电流路径通过该电流路径通过该路径通过该电流路径通过该输入栅极电容器可以充电以转动第二耗尽模式FET。

著录项

  • 公开/公告号EP3314758B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ERIDAN COMMUNICATIONS INC.;

    申请/专利号EP20160818378

  • 发明设计人 DIDUCK QUENTIN;

    申请日2016-04-20

  • 分类号H03F3/193;H03F3/189;H03F3/217;H03K17/687;H03F1/02;H03F1/42;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-24 21:21:14

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