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RIS Perfect Absorption Efficiency Circular Nanodisk Array Integrated with a Reactive Impedance Surface with High Field Enhancement

机译:RIS完美吸收效率圆形纳米盘阵列与具有高场增强的反应阻抗表面集成

摘要

The present invention relates to a fully absorptive effect circular nanodisk array integrated with RIS with high field enhancement, comprising: a first metal oxide layer of a first thickness; a second metal oxide layer of a second thickness; a plurality of patch arrays disposed at regular intervals on a plane between the first metal oxide layer and the second metal oxide layer; and a nanodisk disposed on the first metal oxide layer.
机译:本发明涉及一种全吸收效果圆形纳米磁盘阵列,其与具有高场增强的RIS集成,包括:第一厚度的第一金属氧化物层; 第二厚度的第二金属氧化物层; 多个贴片阵列以规则间隔设置在第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间的平面上; 和设置在第一金属氧化物层上的纳米芯片。

著录项

  • 公开/公告号KR20210110138A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 울산대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20200072360

  • 发明设计人 최상조;아남 모하메드 코이룰;

    申请日2020-06-15

  • 分类号G01N21/552;G01N21/25;G01N21/35;G01N21/59;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 20:53:19

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