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Through-silicon via (TSV) test circuit, TSV test method and integrated circuits (IC) chip

机译:通过硅通孔(TSV)测试电路,TSV测试方法和集成电路(IC)芯片

摘要

An integrated circuit (IC) with a TSV test circuit, a TSV test method are provided, pertaining to IC technologies. The IC may include a first TSV, a second TSV and a phase detector. A first end of the first TSV may be coupled to a predetermined signal output, and a second end of the first TSV may be coupled to a first end of the second TSV. A second end of the second TSV may be coupled to a first input of the phase detector, and a second input of the phase detector may be coupled to the predetermined signal output. The phase detector may be configured to determine a phase difference between signals at the first and the second inputs. In this IC, a defective TSV can be identified and segregated with a redundant TSV. This IC facilitates efficient fault correction and signal routing in the IC.
机译:具有TSV测试电路的集成电路(IC),提供了与IC技术有关的TSV测试方法。 IC可以包括第一TSV,第二TSV和相位检测器。 第一TSV的第一端可以耦合到预定信号输出,并且第一TSV的第二端可以耦合到第二TSV的第一端。 第二TSV的第二端可以耦合到相位检测器的第一输入,并且相位检测器的第二输入可以耦合到预定信号输出。 相位检测器可以被配置为在第一和第二输入处确定信号之间的相位差。 在该IC中,可以用冗余TSV识别和偏析有缺陷的TSV。 该IC有助于IC中有效的故障校正和信号路由。

著录项

  • 公开/公告号US11114417B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US202016950020

  • 发明设计人 YOU-HSIEN LIN;

    申请日2020-11-17

  • 分类号H01L25/065;H01L23/48;H01L21/66;G01R31/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 20:52:09

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