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HIGH-GAIN STABLE AVALANCHE PHOTO-DIODE

机译:高增益稳定的雪崩照片二极管

摘要

A method for controlling an avalanche photo diode (APD) and a device that includes a high gain stable APD. The device may include an APD, a compensation circuit that comprises a compensation component that is thermally coupled to the APD, a temperature control module having a part that is thermally coupled to the compensation component and to the APD, and one or more additional components. The APD is formed within a first semiconductor epitaxial layer that is grown on a first side of a substrate, the substrate is highly thermally conductive and electrically insulating.
机译:一种用于控制雪崩照片二极管(APD)的方法和包括高增益稳定APD的设备。 该设备可以包括APD,该补偿电路包括用于热耦合到APD的补偿组件的补偿电路,该温度控制模块具有热耦合到补偿组件和APD的部分,以及一个或多个附加组件。 APD形成在第一半导体外延层内,所述第一半导体外延层在基板的第一侧生长,基板具有高导热和电绝缘。

著录项

  • 公开/公告号US2021249543A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD.;

    申请/专利号US202016785996

  • 发明设计人 PAVEL MARGULIS;

    申请日2020-02-10

  • 分类号H01L31/024;H01L31/107;H01L23/373;H03K3/011;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 20:33:45

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