机译:等离子体发生器,基板处理设备,半导体设备制造方法,由基板处理设备执行的程序,等离子体生成方法,由等离子体发生器,电极和反应管执行的程序
公开/公告号JP6918916B2
专利类型
公开/公告日2021-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社KOKUSAI ELECTRIC;
申请/专利号JP20190232666
申请日2019-12-24
分类号H01L21/31;H01L21/318;C23C16/455;C23C16/509;H05H1/46;
国家 JP
入库时间 2022-08-24 20:31:10