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HIGH-DENSITY RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION FOR ULTRATHIN FILM FORMATION

机译：用于超薄膜形成的高密度抗蚀剂底层膜组合物

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摘要

In the present invention, (A) an imide precursor or a benzoxazole precursor of Formula 1 or Formula 2(a); (B) a compound of Formula 3; And (C) there is provided a resist underlayer film composition comprising an organic solvent. [Formula 1] [Formula 2] [Formula 3]

机译：在本发明中，（a）式1或式2（a）的酰亚胺前体或苯并恶唑前体; （b）式3化合物; （c）提供了包含有机溶剂的抗蚀剂底层膜组合物。 [式1] [式2] [公式3]

著录项

公开/公告号KR20210086231A

专利类型
公开/公告日2021-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人 삼성에스디아이 주식회사;
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申请/专利号KR1020190180032
发明设计人 권순형;김민수;박현;배신효;백재열;송대석;천민기;최유정;
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申请日2019-12-31
分类号G03F7/16;C08G73/06;C08G73/10;C08G73/22;H01L21/027;
国家 KR
入库时间 2022-08-24 20:06:08

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