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REACTIVE SPUTTER DEPOSITION OF DIELECTRIC FILMS

机译:电介质膜的反应溅射沉积

摘要

Reactive sputter deposition method and system are disclosed, in which a catalyst gas, such as water vapor, is used to increase the overall deposition rate substantially without compromising formation of a dielectric compound layer and its optical transmission. Addition to the sputtering or reactive gas of the catalyst gas can result in an increase of a deposition rate of the dielectric oxide film substantially without increasing an optical absorption of the film.
机译:公开了反应性溅射沉积方法和系统,其中催化剂气体如水蒸气,用于基本上不损害形成介电复合层及其光学传输的整体沉积速率。除了催化剂气体的溅射或反应气体之外,可以基本上导致介电氧化物膜的沉积速率的增加,而不会增加薄膜的光学吸收。

著录项

  • 公开/公告号US2021156019A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VIAVI SOLUTIONS INC.;

    申请/专利号US202117248738

  • 发明设计人 GEORG J. OCKENFUSS;

    申请日2021-02-05

  • 分类号C23C14;C23C14/10;C23C14/34;H01J37/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:55:39

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