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Redistribution lines having stacking vias

机译:重新分配线路堆叠通孔

摘要

A method includes forming a dielectric layer over a conductive feature, forming an opening in the dielectric layer, and plating a metallic material to form a redistribution line electrically coupled to the conductive feature. The redistribution line includes a via in the opening, and a metal trace. The metal trace includes a first portion directly over the via, and a second portion misaligned with the via. A first top surface of the first portion is substantially coplanar with a second top surface of the second portion of the metal trace.
机译:一种方法包括在导电特征上形成介电层,形成在介电层中的开口,并镀金属材料以形成电耦合到导电特征的再分配线。再分配线包括通孔,以及金属迹线。金属迹线将第一部分直接包括在通孔上,第二部分与通孔未对准。第一部分的第一顶表面基本上是共面的,其具有金属迹线的第二部分的第二顶表面。

著录项

  • 公开/公告号US11018025B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.;

    申请/专利号US201514815169

  • 发明设计人 HSIEN-WEI CHEN;LI-HSIEN HUANG;

    申请日2015-07-31

  • 分类号H01L21/48;H01L23;H01L25/10;H01L25;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/522;H01L23/498;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 21:35:00

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