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Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction

机译:用于改善MOSFET线性的方法和设备使用累积的电荷沉降谐波减少

摘要

A method and apparatus for use in improving linearity sensitivity of MOSFET devices having an accumulated charge sink (ACS) are disclosed. The method and apparatus are adapted to address degradation in second- and third-order intermodulation harmonic distortion at a desired range of operating voltage in devices employing an accumulated charge sink.
机译:公开了一种用于提高具有累积电荷沉积(ACS)的MOSFET器件的线性灵敏度的方法和装置。该方法和装置适于在采用累积电荷沉积的器件的所需工作电压下在第二和三阶互调的谐波失真范围内解决劣化。

著录项

  • 公开/公告号US11011633B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PSEMI CORPORATION;

    申请/专利号US202016739093

  • 申请日2020-01-09

  • 分类号H01L27/12;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/49;H01L29/786;H03K17/16;H01L49/02;H01L29/08;H01L29/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 21:33:12

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