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机译:SIC MOSFET中切换损耗估计的改进方法
Wesley Josias de Paula; Gabriel Henrique Monteiro Tavares; Guilherme Márcio Soares; Pedro Santos Almeida; Henrique Antônio Carvalho Braga;
机译:改进开关模型的SIC MOSFET超低关断现象的研究
机译:功率MOSFET开关过程的真知灼见:一种改进的分析损耗模型
机译:用于预测SiC MOSFET开关性能的改进分析模型
机译:SiC功率MOSFET的开关损耗的准确估算
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:一种改进的分析模型,用于预测SiC MOSFET的开关性能
机译:用于减少MOSFET的开关损耗的栅极驱动方法和装置
机译:基于CPLD的高性能有源栅极驱动器,用于硬开关和软开关SIC MOSFET
机译:减少与同步整流MOSFET相关的开关损耗
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