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METHOD OF PRODUCING INP QUANTUM DOTS WITH GAP AND ALP SHELLS

机译:用间隙和Alp壳产生INP量子点的方法

摘要

Disclosed are highly luminescent nanostructures, particularly highly luminescent quantum dots, comprising a nanocrystal core of InP and shell layers of GaP and AlP. The nanostructures may have an additional shell layer. Also provided are methods of preparing the nanostructures, films comprising the nanostructure and devices comprising the nanostructures.
机译:公开了高发光纳米结构,特别是高发光量子点,其包含间隙和AlP的InP和壳层的纳米晶体。纳米结构可具有另外的壳层。还提供了制备纳米结构的方法,包含纳米结构的薄膜和包含纳米结构的装置。

著录项

  • 公开/公告号EP3405550B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号EP20170704346

  • 发明设计人 CURLEY JOHN J.;WANG CHUNMING;

    申请日2017-01-13

  • 分类号C09K11/02;H01L33/50;C09K11/70;H05B33/14;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-24 18:19:09

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