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High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

机译：高电子迁移率晶体管和功率放大器，包括具有改进性能和可靠性的所述晶体管

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A power amplifier comprising a GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) device, wherein a power added efficiency (PAE) of the power amplifier is greater than 32% at P1DB during operation of the power amplifier between 26.5 GHz and 30.5 GHz.

机译：一种功率放大器，包括基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）装置，其中功率放大器的功率添加效率（PAE）在功率放大器的操作期间在26.5GHz和30.5GHz之间的功率放大器的操作期间在P1DB处大于32％。

著录项

公开/公告号US10971612B2

专利类型
公开/公告日2021-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人 CREE INC.;
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申请/专利号US201916555036
发明设计人 KYLE BOTHE;EVAN JONES;DAN NAMISHIA;CHRIS HARDIMAN;FABIAN RADULESCU;TERRY ALCORN;SCOTT SHEPPARD;BRUCE SCHMUKLER;
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申请日2019-08-29
分类号H01L31/101;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/40;H01L29/45;H01L21/306;H01L21/765;H01L29/66;H01L29/417;H03F3/21;H03F1/02;H01L21/285;
国家 US
入库时间 2022-08-24 18:04:35

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