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Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

机译:适于配置低功耗动态随机存取存储器的非易失性存储器

摘要

Non-volatile memory having a non-volatile memory array adapted to store a configuration routine for a low power dynamic random access memory (LPDRAM), a memory interface for receiving addresses from an external device for access of data stored in the non-volatile memory array, and an internal controller adapted to communicate with a LPDRAM coupled to the non-volatile memory and configure operational settings of the LPDRAM using the configuration routine, as well as systems containing similar non-volatile memory.
机译:具有非易失性存储器阵列的非易失性存储器,其适于存储用于低功率动态随机存取存储器(LPDRAM)的配置例程,用于从外部设备接收用于访问存储在非易失性存储器中的数据的地址的存储器接口阵列和适于与耦合到非易失性存储器的LPDRAM通信的内部控制器,并使用配置例程配置LPDRAM的操作设置,以及包含类似的非易失性存储器的系统。

著录项

  • 公开/公告号US10956066B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201816040715

  • 发明设计人 FRANKIE F. ROOHPARVAR;

    申请日2018-07-20

  • 分类号G06F3/06;G06F12/02;G11C11/406;G06F13/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 17:50:42

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