首页> 外国专利> Method of manufacturing NiO upon Ni deposition substrate

Method of manufacturing NiO upon Ni deposition substrate

机译:Ni沉积衬底上制造NIO的方法

摘要

The present invention relates to a method of manufacturing a substrate in which a NiO layer is formed on a Ni layer, and more particularly, to a method of manufacturing a substrate in which a part of the Ni layer is oxidized to a NiO layer by depositing a Ni layer on a Si substrate and irradiating microwaves. will be. Sputtered on the substrate to a certain thickness ( ) Depositing a layer of Ni; And by irradiating microwaves on the Ni layer, some of the Ni layer is at a certain depth ( Oxidizing to a NiO layer having ); It is preferable to include.
机译:本发明涉及制造基板的方法,其中将NiO层形成在Ni层上,更具体地,涉及一种制造基板的方法,其中通过沉积将Ni层的一部分氧化成NiO层的基板的方法Si衬底上的Ni层并照射微波。将。在基板上溅射到沉积一层Ni的一定厚度();并且通过照射Ni层上的微波,一些Ni层处于一定深度(氧化于NiO层);优选包括。

著录项

  • 公开/公告号KR102230399B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020190126766

  • 发明设计人 박수영;유희준;한동주;이학재;

    申请日2019-10-14

  • 分类号C23C14/58;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 17:50:04

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号