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CMUT TRANSDUCER

机译:CMUT传感器

摘要

The present disclosure relates to a CMUT transducer (200) comprising: a substrate (101) coated with a dielectric layer (103); a cavity (105) formed in the dielectric layer (103); a conductive or semiconductor membrane (107) suspended above the cavity (105); and a dielectric coating (104) arranged on an upper surface of the substrate (101) at the bottom of the cavity or on a lower surface of the membrane at the top of the cavity and extending, in top view, on the most part of the surface of the cavity (105), wherein the dielectric coating (104) is structured opposite the cavity (105).
机译:本公开涉及一种CMUT换能器(200),包括:涂有介电层(103)的基板(101);形成在介电层(103)中的腔(105);悬浮在腔(105)上方的导电或半导体膜(107);和介电涂层(104)布置在腔底部的基板(101)的上表面上,或在腔顶部的膜的下表面上,在大部分视图中延伸腔体(105)的表面,其中介电涂层(104)与腔(105)相对地构造。

著录项

  • 公开/公告号WO2021038300A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VERMON SA;

    申请/专利号WO2020IB00732

  • 申请日2020-08-25

  • 分类号B06B1/02;

  • 国家 IB

  • 入库时间 2022-08-24 17:32:46

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